ga2o3器件加工（dlmu-ks8凯发官方网站

采购内容：方案一工艺: 清洗:标准rca清洗   pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa 刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理 ald:利用ald生长5nm的tin作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺cu/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa 退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案二工艺: 清洗:标准rca清洗 pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa 刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理。 ald:利用ald生长5nm的tin作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ni/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa 退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案三工艺: 清洗:标准rca清洗 pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa 刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理。 ald:利用ald生长5nm的tio2作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺cu/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa 退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 方案四工艺: 清洗:标准rca清洗 pecvd:采用pecvd技术积300nm的sio2 阴极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ti/au(5/100nm)，工作真空:5e-4pa 刻蚀：sio2场板介质的光刻与刻蚀 肖特基预处理a.清洗：b.过刻蚀后处理：c.预处理：最后在400℃下进行5min的o2处理 ald:利用ald生长5nm的tio2作为氧化镓与肖特基金属之间的夹层 阳极金属金属沉积:电子束蒸发工艺ni/au(100/200nm)，工作真空:5e-4pa 退火:器件制备完成后，在n2气氛下，退火温度为300℃、400℃、500℃，退火的时间为5分钟，退火结束后待样品冷却后取出，防止样品被热氧化 划片:将四吋氧化镓品圆切割成8mmx8mm的小片 第一次测试内容： 选择测试的电极尺寸：425μm，5个电极最中间的那个   iv    bv （1）结构:cu/cr/au （2）结构:cr/cu/cr/au （3）结构:al2o3/cu/cr/au  第二次后续重新退火电学测试： a.退火： 选择之前三个结构中100℃退火的样品片重新进行氮气气氛下450℃快速热退火。 b.电学测试： （1）对cu/cr/au和al2o3/cu/cr/au两种结构中未退火的样品片，选择425μm尺寸的电极进行iv，bv测试。   （2）对cu/cr/au和al2o3/cu/cr/au两个结构中重新进行450℃快速热退火的两个样品，选择425μm尺寸的电极进行iv，bv测试。